PTFE槽+滤篮是光伏、半导体湿法制程核心配套工装，作为开放式静态浸泡专用器具，和PTFE蚀刻台、硅片架互补使用，替代传统PVDF酸洗槽、PP滤网篮。解决普通塑胶槽焊接开裂、滤篮孔位毛刺划片、长期氟液浸泡溶胀掉屑、离子析出污染晶片的痛点，凭借分体式易转运、透水均匀、低本底洁净特性，广泛用于裸硅片、外延晶圆、蓝宝石薄片的去氧化、制绒、残胶去除、蚀刻后漂洗全湿法工序，适配百级无尘车间使用。
用于晶片大批量静态腐蚀浸泡作业。光伏硅片切割后需碱液去除表面切割损伤层，半导体晶圆需BOE缓冲氢氟酸去除表面原生氧化层，传统单片存放效率极低。将晶片整齐放入滤篮内部，再整体置入PTFE主槽内浸泡，镂空篮体可让腐蚀药液360°无死角包裹晶片，相比密闭容器药液交换速度提升60%，保证整片晶片腐蚀、减薄均匀，杜绝边角腐蚀色差、绒面不均等不良问题。
适配超声清洗与残渣固液分离工况。晶片蚀刻、制绒后表面会附着硅粉、药液结晶、剥离残胶，需搭配超声波清洗去除杂质。滤篮透水孔径经过精密计算，既能防止超薄晶片掉落，又能保障超声声波穿透，避免声波衰减导致清洗不彻底。同时可拦截脱落的硅粉、胶体残渣，防止残渣沉积槽底反复污染晶片，无需人工清理槽底，降低产线洁净维护难度。
实现跨工位无损转运与原位沥水。分体结构支持滤篮直接整体提拉取出，无需徒手接触晶片，规避无尘车间人体静电、汗液污染风险。滤篮镂空结构沥水速度快，无药液、积水淤积，避免高浓度蚀刻液风干后形成盐晶划伤晶片镀膜。整套材质防静电，不会静电吸附粉尘，超低金属本底不会析出钠、铁等杂质，防止晶片后续漏电失效。可反复酸碱清洗再生，耐长期高低温交替使用，使用寿命远超普通塑胶槽篮，大幅降低产线耗材替换频次。
