PTFE蚀刻台是半导体、光伏行业开放式湿法蚀刻专属台面工装，主要搭配喷淋蚀刻槽、溢流蚀刻槽配套使用，替代PP、PVDF、环氧树脂台面。解决常规台面耐氢氟酸能力差、长期喷淋起粉开裂、表面结晶难清理、析出杂质污染晶圆的痛点，和PTFE硅片架、硅片盒、清洗罐形成完整湿法配套耗材，广泛用于裸硅片、图形化晶圆、外延片的氧化层蚀刻、边缘去边、薄膜刻蚀工序，适配百级无尘车间全流程蚀刻作业。
用于晶圆表面薄膜均匀喷淋蚀刻作业。半导体晶圆表面二氧化硅、氮化硅薄膜，需通过BOE缓冲氢氟酸进行开放式喷淋蚀刻，常规树脂台面接触氟系蚀刻液3个月内就会粉化脱落，塑胶台面会被药液溶胀，脱落微粒附着晶圆表面造成微短路。PTFE蚀刻台化学惰性极强，不与所有主流蚀刻药液反应，台面疏水不挂液，蚀刻废液可顺着导流槽快速排出，避免药液回流二次腐蚀晶圆，保障整片晶圆蚀刻速率均匀，消除局部蚀刻不良。
适配硅片边缘去边与背面除胶蚀刻工序。光伏硅片镀膜后边缘多余镀层需要定点蚀刻去除，作业时硅片架直接放置在蚀刻台面上，台面防滑磨砂纹理可避免支架滑移倾倒，防止硅片大面积崩边。台面整体无拼接缝隙，杜绝蚀刻残渣、硅粉卡在缝隙滋生结晶，避免结晶凸起划伤晶圆背面镀膜层，相比拼接台面，大幅降低晶圆报废率，适配产线24小时连续喷淋作业。
承担蚀刻后原位沥水、预漂洗中转功能。蚀刻完成后无需转移工装，可直接在台面完成纯水溢流预漂洗，镂空导流结构无积水残留，避免高浓度蚀刻液长时间滞留腐蚀硅片。材质防静电，可阻挡蚀刻粉尘静电吸附在晶圆表面，超低本底不会析出钠、铜、铁等重金属，杜绝后续电池片漏电、外延片良率下降问题。台面耐反复超声水洗、酸碱翻新清洗，使用寿命是PVDF台面4倍，有效缩减产线工装更换成本。
