意法半导体 STD10P6F6 FET晶体管

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产品描述

STD10P6F6晶体管是P沟道功率MOSFET，采用STripFET™ F6技术开发，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率STD10P6F6晶体管在所有封装中都表现出非常低的RDS(on)封装。

产品特征

非常低的导通电阻
非常低的栅极电荷
高雪崩坚固性
栅极驱动功率损耗低

应用领域

直流电动机速度控制
照明系统
PWM应用
交流电源检测
磁簧继电器驱动
开关模式电源反馈
电话铃声检测
逻辑接地隔离

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