英飞凌-IRFB7545PBF-晶体管

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IRFB7545PBFD的定义

IRFB7545PBF 是 HEXFET® N-沟道功率 MOSFET 提供改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 Infineon IRFB7545PBF 适用于电池供电电路、半桥和全桥拓扑、同步整流器应用、DC-AC 逆变器、DC-DC 和 AC-DC 转换器。工作和储存温度范围为-55至175℃。而MOSFET IRFB7545PBF采用TO-220-3封装，功耗125w。

IRFB7545PBF的特性

改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性
整体表征的电容和雪崩 SOA
增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
无铅，符合 RoHS 标准
TO-220-3 封装

IRFB7545PBF的应用

有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
OR-ing 和冗余电源开关
DC/DC 和 AC/DC 转换器
直流/交流逆变器

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