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针对常规铸锭方式所生产的多晶硅锭位错密度高、晶界无规则分布和晶粒分布不均匀等问题，国内部分铸锭厂家借鉴了类单机的生长工艺，通过在坩埚底部铺设碎多晶硅料等方法，利用硅料半熔工艺制得了晶粒分布均匀的{gx}多晶硅锭，其中最为知名的如台湾中美矽晶的A3+硅片，国内的协鑫S2+和赛维的M2+硅片等。虽然利用半熔引晶生长技术，可以获得位错密度低、晶界结构规则且晶粒分布均匀的{gx}多晶硅锭，但存在以下缺陷:(1)半熔引晶生长工艺在熔化阶段，需要通过插入高纯石英棒来控制硅料的熔化高度，操作难度高；(2)半熔引晶生长工艺 由于在熔化阶段存在部分未熔化硅料，导

致硅锭底部的硅料凹凸不平整，且在侧面有气孔存在，使得硅料难以打磨回收再利用，导致硅料损耗较大；(3)半熔引晶生长工艺由于底部有未熔化的硅料，导致单锭的硅料有效利用部分相较传统硅锭生产工艺有明显降低，且加工成本较高，不利于光伏平价上网目标的实现。

冶金法生产太阳能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生产方法

[简介]： 多晶硅的挡板晶圆60置放在支撑塔20的非生产沟槽中，用于热处理单晶硅晶圆。多晶硅较佳为随机定向多晶硅ROPSi，优选通过使用随机定向晶种例如CVD成长的硅而以Czochralski方法来成长。热炉管10的全硅热区可以包括...

挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅

[简介]： 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固装置，包括炉体，炉体内放置有石英坩埚，石英坩埚外壁由内向外依次环绕设置有石墨发热体、保温套筒和感应线圈，石英坩埚底部设置有与炉体底部通连的拉锭机构，保温套筒...

因而需要探索一种新的多晶硅锭的制备方法，以解决上述存在的技术问题。

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种{gx}多晶硅锭的制备方法，所述方法可制得转换效率高的多晶硅锭，制得的多晶硅锭晶粒细小且分布均匀，对应晶砖少子寿命高且低少子寿命杂质点少，无明显枝晶和孪晶产生。

本发明是通过以下技术方案予以实现的。

一种{gx}多晶硅锭的制备方法，所述方法步骤如下:(I)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5: 5 - 7: 3的质量比混合均匀形成混合浆料，将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层；(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层，所述形核源的粒度为30 - 100目，形核源层的厚度为I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层；(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层，以防止形核源在装料过程中遭到破坏，所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成，所述保护层的厚度为I一 20_ ;

(6)向坩埚内装载固体硅料，关闭多晶硅铸锭炉的保温罩，加热坩埚至1530 - 1560°C直至固体硅料完全熔化成硅液；(7)

通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度，打开保温罩，将保温罩升高5 — 8cm,将多晶铸锭的顶部中央区域温度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩埚底部温度降低，坩埚底部硅液处于过冷状态，利用形核源层形核结晶从而得到{gx}多晶硅锭，所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。