DM2G50SH12 IGBT 50A1200V

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产品简介

品牌	D/W 韩国大卫
型号	DM2G50SH12
种类	绝缘栅(MOSFET)
沟道类型	N沟道
导电方式	增强型
用途	D/变频换流
封装外形	SP/特殊外形
材料	IGBT绝缘栅比极
{zd0}漏极电流	50A
极间电容	0.6N
低频跨导	200NS

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