KRI RFICP 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
KRI RFICP 100 技术参数
阳极
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电感耦合等离子体
射频自动匹配
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阳极功率
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600W
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离子束流
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> 300mA
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电压范围
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100-1200V
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离子束动能
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100-1200eV
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气体
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Ar, O2, N2,其他
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流量
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5-20 sccm
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压力
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< 0.5mTorr
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离子光学, 自对准
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OptiBeamTM
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离子束栅极
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10cm Φ
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栅极材质
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钼, 石墨
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离子束流形状
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平行,聚焦,散射
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中和器
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LFN 2000
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高度
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23.5 cm
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直径
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19.1 cm
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锁紧安装法兰
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10”CF
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KRI RFICP 100 应用领域
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理.