KRI eH 2000
上海伯东代理美国原装进口 KRI eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI eH 2000 技术参数
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型号
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eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
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供电
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DC magnetic confinement
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- 电压
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40-300V VDC
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- 离子源直径
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~ 5 cm
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- 阳极结构
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模块化
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电源控制
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eHx-30010A
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配置
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-
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- 阴极中和器
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Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
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- 离子束发散角度
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> 45° (hwhm)
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- 阳极
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标准或 Grooved
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- 水冷
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前板水冷
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- 底座
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移动或快接法兰
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- 高度
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4.0'
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- 直径
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5.7'
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- 加工材料
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金属
电介质
半导体
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- 工艺气体
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
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- 安装距离
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16-45”
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- 自动控制
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控制4种气体
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* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI eH2000 应用领域
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理.
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