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在性能上的增长，纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩，然而，对于高要求的功率开关和控制的应用上，它似乎已经到达了它的极限。 碳化硅（SiC），作为一种新型半导体材料，具有潜在的优点：更小的体积、更有效率、wq去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体（纯硅半导体）更高的开关频率以及在标准的125℃结温以上工作的能力。小型化和高工作耐温使得这些器件的使用更加自如，甚至可以将这些器件直接置于电机的外壳内。 任何一种新技术都会经历由发展到成熟的过程，SiC也不例外。标准功率开关，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT），有很大的产品基础和优化的生产技术。而SiC却需要投入大量经费和研发资金来解决材料问题和完善半导体制造技术。然而这种功率开关器件，能够在正向导通大电流和反向截止千伏电压之间快速执行开关动作，这样的性能是值得一试的。 SiC最初的成功应用和主要应用发光二极管，用于汽车头灯和仪表盘其他照明场合。其他的市场bao括开关电源和肖特基势垒二极管。将来会应用到bao括混合动力车辆、功率转换器（用于减小有源前置滤波器的体积）和交流/直流电机控制上。这些更高要求的应用还没有商业化，因为它们需要高质量的材料和大规模的生产力来降低成本。在全世界范围内，大量的研究经费投入到了公司、实验室和政府设施，以使SiC技术更加可行