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 AP30N06  MOS管 60V 30A场效应管 N沟道 DFN3*3
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AP30N06 MOS管 60V 30A场效应管 N沟道 DFN3*3

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深圳市世微半导体有限公司

深圳市世微半导体有限公司是一家专业从事专用模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售的高新技术企业,现已成功设计生产出几十种集成电路产品。主要生产的产品包括:电源IC、DC/DC升压芯片、DC/DC降压IC、太阳能草坪灯IC、手电筒功能IC、逻辑IC、LDO稳压IC、带使能端LDO、射灯IC、日光灯IC,LED升压/降压恒流驱动IC,车灯驱动IC,太阳能驱动IC,复位IC,锂电充电管理IC,锂电保护IC,MOS管,MCU
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The AP30N06 is the high cell density trenched
N-ch MOSFETs, which provide excellent
RDSON and gate charge for most of the
synchronous buck converter applications.
The AP30N06 meet the RoHS and Green
Product requirement, 100% EAS guaranteed
with full function reliability approved.

? Super Low Gate Charge
? 100% EAS Guaranteed
? Green Device Available
? Excellent CdV/dt effect decline
? Advanced high cell density Trench
technology


郑重声明:产品 【 AP30N06 MOS管 60V 30A场效应管 N沟道 DFN3*3】由 深圳市世微半导体有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库www.qiyeku.cn)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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