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DGT高压吸收电容器
DGT高压吸收电容器

DGT高压吸收电容器

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深圳市天明伟业电子有限公司
中国.深圳市龙华新区上塘宇丰城工业区B区
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深圳市天明伟业电子有限公司

深圳市天明伟业电子有限公司,总部座落于改革开放的先峰城市:深圳市龙华新区,具有15年的金属化介质电容器研发、制造、销售和服务经验,拥有一支具备创新能力的专业技术团队和一支训练有素、高度稳定的技术工人队伍,可为客户提供聚酯、聚丙烯和聚苯硫醚等各类介质的工业电力电子薄膜电容器,也可根据客户的不同要求提供个性化的定制产品。 天明伟业DAWNCAP:专注于电力电子电容,为客人提供最实用最满意及价格合理的电容器解决方案。自主品牌:DAWNCAP。 DAWNCAP电容的标准品涵盖了广泛的系列,强大的开发设计能力、快速的交货方式、具有竞争力的价格、为电力电子行业的产品设计工程师提供灵活多方面的薄膜电容解决方案。产品的设计主要针对高压、大电流、高频场合,包括直流链支撑、直流母线高纹波处理、IGBT/GTO的缓冲电路、高频大电流谐振、高频大电流隔直、AC滤波、高电压备压应用高频高压脉冲等。主要应用领域有: · 高频高压开关电源 · 太阳能/工业风力发电 · 高压变频器 · UPS/EPS电源 · 感应加热电源 · 混合动力汽车 · 逆变焊机 · 电磁感应加热 · 节能环保设备.中高频工业电炉等。 深圳市天明伟业电子有限公司的质量保证体系wq按照 ISO9001:2008、TS16949:2009标准构建并有效运行。 深圳市天明伟业电子有限公司将一如既往地秉承“以客户为关注焦点”的宗旨,竭诚为您提供优质的产品以及满意的服务。
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采用金属化聚丙烯薄膜进行无感式卷绕,特殊喷金工艺,迈拉胶带、铝外壳或不锈钢外壳封装,阻燃环氧树脂灌封,铜螺母或铜螺栓引出。

具有{yx}的高频纹波吸收能力,高dv/dt,频率特性好,杂散电感小。

产品广泛应用于高压逆变系统开关模块(IGBT.GTO)中作吸收保护、尖峰电压钳位等场合。


Reference standards

IEC 61071 61881

工作温度范围Operating temperature range

-40~85

容量范围Capacitance

0.33~3.0μF

额定电压 Rated Voltage

4000~10000VDC

容量偏差 Tolerance

±5%, ±10%

极间耐电压 Test voltage between terminals

1.5Ur(DC) 10s  25±5

极壳耐电压 Test voltage between terminals and case

3000V 50Hz 60S, 25±5

损耗角正切Dissipation factor

tgδ≤8×10-4  at  25±5℃ , 1KHz

绝缘电阻Insulation resistance

C*IR30000S,   at  100VDC,25±5,60S

预期寿命Life expectancy

100000h at Ur and 70

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