150度存储器EEPROM
我司供应如下高温产品：
150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。
地址总线测试:在确认数据总线工作正常之后，你应该接着测试地址总线。记住地址总线的问题将导致存储器位置的重叠。有很多可能重叠的地址。然而，不必要测试每一个可能的组合。你应该努力在测试过程中分离每一个地址位。你只需要确认每一个地址线的管脚都可以被设置成0和 1，而不影响其他的管脚。
150度EEPROM存储器
我司供应如下高温产品：
150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。
双倍数据速率1 存储器 (DDR1)第1双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4,8,16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。
150度25LC系列存储器
我司供应如下高温产品：
150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM)：存储组件运行和待机电流非常低而容量却很大，。移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 可与传统的同步动态存储器 (SDRAM) 兼容，非常适用于 移动通讯设备。工作电压：3.3伏，2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列 (BGA) 进行封装，接触区域 在其下面。
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