Lyontek存储器 内存芯片 LY62W51316
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。
主要有:
1. 存储容量: 存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)
5. 功耗:动态功耗、静态功耗
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