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定做 TO-264大功率电动工具热专用 绝缘片 氮化铝陶瓷双面渡铜 TO264 绝缘氮化铝陶瓷双面覆铜 陶瓷 导热系数理论高达320/Wm·K氮化铝双面镀铜，金属化，线路板 ！
氮化铝导热陶瓷 有着良好的导热性能广泛应用于： 薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等
AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
性能指标
?(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
?(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
?(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
?(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
?(5)光传输特性好；
?(6)md；
AlN陶瓷基片主要性能指标
性能内容
性能指标
热导率(W/m·k）
≥170
体积电阻率（Ω·cm）
＞1013
介电常数[1MHz,25℃]
9
介电损耗[1MHz,25℃]
3.8х10-4
抗电强度(KV/mm)
17
体积密度（g/cm3）
≥3.30
表面粗糙度Ra(μm)
0.3~0.5
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃)
4.6
抗弯强度(MPa)
320~330
弹性模量(GPa)
310~320
莫氏硬度
8
吸水率(%)
0
翘曲度(~/25(长度))
0.03~0.05
熔点
2500
外观/颜色
灰白色
注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1μm；
2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，最小值±0.10mm；
3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。
氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。
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