工厂tg 氮化铝陶瓷散热片 16.3mm 8.9mm 厚1mm 绝缘片 导热片

常规规格尺寸

笔记本专用 氮化铝散热片 高导热 大功率 导热片 陶瓷片

◆ TO-220、1mm* 14mm*20mm 1mm*12mm*18mm

◆ TO- 3P、 1mm*20mm*25mm 0.635mm*20mm*25mm

◆ TO-264、1mm*22mm*28mm 0.635mm*22mm*28mm

◆ T0-247、1mm*17mm*22mm 0.635mm*17mm*22mm

1mm*140mm*190mm 0.635mm*140mm*190mm

1mm*115mm*115mm 1mm*100mm*100mm

AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能指标

?(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

?(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

?(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；

?(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；

?(5)光传输特性好；

?(6)md；

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k）

≥170

体积电阻率（Ω·cm）

＞1013

介电常数[1MHz,25℃]

9

介电损耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度（g/cm3）

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm)

0.3~0.5

热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃)

4.6

抗弯强度(MPa)

320~330

弹性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度))

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1μm；

2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，最小值±0.10mm；

3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。

氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。

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