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合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
砷化镓多晶料性能指标
原料纯度
6N 及以上
导电类型
N 型
迁移率(cm2/V•s)
2500~3500
载流子浓度(cm-3)
1.0×1016~1.0×1017
产品外观
D 字形
尺寸
约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长