IRF840APBF

•  场效应管 MOSFET N TO-220 500V 8A
•  晶体管极性: N沟道
•  电流, Id 连续: 8A
•  漏源电压, Vds: 500V
•  在电阻RDS（上）: 850mohm
•  电压 @ Rds测量: 10V
•  阈值电压 Vgs: 4V
•  功耗 Pd: 125W
•  Transistor Case Style: TO-220AB
•  针脚数: 3
•  工作温度{zg}值: 150°C
•  MSL: -
•  工作温度最小值: -55°C
•  晶体管数: 1
•  温度 @ 电流测量: 25°C
•  满功率温度: 25°C
•  漏极电流, Id {zd0}值: 8A
•  热阻, 结点至外壳A: 1°C/W
•  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
•  电压, Vds 典型值: 500V
•  电压, Vgs {zg}: 30V
•  电流, Idm 脉冲: 32A
•  表面安装器件: 通孔
•  阈值电压, Vgs th {zg}: 4V

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