0.1UF/1200V,0.15UF/1200V,0.22UF/1200V,0.47UF/1200V,0.68UF/1200 00.1UF/1500V,0.15UF/1500V,0.22UF/1500V,0.47UF/1800V,0.68UF/1700 0.1UF/20000V,0.15UF/80000V,0.22UF/1000V,0.47UF/1000V,0.68UF/1100 0.1UF/1400V,0.15UF/1600V,0.22UF/1600V,0.47UF/1600V,0.68UF/1800 0.1UF/1600V,0.15UF/200000V,0.22UF/1800V,0.47UF/900V,0.68UF/15000 0.1UF/1400V,0.15UF/3000V,0.22UF/3000V,0.47UF/30000V,0.68UF/3000 0.1UF/3000V,0.15UF/3000V,0.22UF/3000V,0.47UF/3000V,0.68UF/3000VD
PL-DTS-S IGBT无感突波吸收电容器(椭圆形)
产品性能说明:
低效串联电阻
低等效串联电感
可承受非常高的du/dt
额定电压: 700 to 3000 Vdc
执行标准 GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1
金属化聚丙烯膜无感卷绕而成
具有立式和卧式二种安装形式,引出端子直接连接于IGBT模块,{zd0}限度减小回路电感量
具有低的ESR和高的dv/dt特性
可承受很大的峰-峰值电流IPP和高频有效值电流Irms
可提供满足各类IGBT/IGCT等电力电子功率器件所需的系列化产品
应用范围:高xjb,广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、电磁加热,中频感应加热炉,商用电磁炉,大功率电源,高压机器设备,电动汽车,逆变焊机、太阳能/风力发电等行业的IGBT突波吸收.